Présentation
La technologie de semi-conducteurs au nitrure de gallium (GaN) de troisième génération assure une gestion thermique supérieure au sein du chargeur, accélérant les processus de dissipation de la chaleur. De plus, elle offre une densité de puissance doublée tout en réduisant les pertes d’énergie de 80%, ce qui améliore considérablement l’efficacité énergétique.