Genel Bakış
Üçüncü nesil galyum nitrür (GaN) yarı iletken teknolojisi, şarj cihazında üstün ısı yönetimi sağlayarak ısının uzaklaştırılmasını hızlandırır. Ayrıca güç yoğunluğunu iki katına çıkarırken güç kayıplarını aynı anda 80% azaltır ve güç verimliliğinde önemli bir artış sağlar.